买卖IC网 >> 产品目录 >> IXXR110N65B4H1 IGBT 晶体管 650V/150A TRENCH IGBT GENX4 XPT datasheet RF/IF 和 RFID
型号:

IXXR110N65B4H1

库存数量:可订货
制造商:Ixys
描述:IGBT 晶体管 650V/150A TRENCH IGBT GENX4 XPT
RoHS:
详细参数
参数
数值
产品分类 RF/IF 和 RFID >> IGBT 晶体管
描述 IGBT 晶体管 650V/150A TRENCH IGBT GENX4 XPT
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制造商 Ixys
配置 Single
集电极—发射极最大电压 VCEO 650 V
集电极—射极饱和电压 1.75 V
栅极/发射极最大电压 20 V
在25 C的连续集电极电流 150 A
栅极—射极漏泄电流 100 nA
功率耗散 455 W
最大工作温度 + 175 C
封装 / 箱体 ISOPLUS 247-3
封装 Tube
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深圳市湘达电子有限公司 0755-83229772-83202753 朱平
  • IXXR110N65B4H1 参考价格
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